AMD se dirige vers la gravure en 45 nanomètres

A l’occasion de l’IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, du 7 au 10 décembre 2003 à Washington), AMD a présenté une nouvelle technologie de gravure intitulée FDSOI (Fully Depleted silicon on insulator). Présenté comme la nouvelle génération du SOI, le FDSOI vise toujours le même objectif récurrent : réduire la consommation électrique tout en optimisant les performances du processeur.

Cette nouvelle procédure de gravure sera abordée lors du passage aux 45 nanomètres (nm). Pour mémoire, les Athlon XP, 64 ou FX actuels, ainsi que les Opteron sont gravés en 130 nm. La réduction en 45 nm implique de trouver des solutions pour réduire les fuites de courant électrique quand le transistor est éteint et mieux contrôler le flux quand il est allumé.

Optimiser le flux électrique

Ces solutions passent notamment par une nouvelle grille métallique qui évoluera vers une triple porte du transistor, contre une seule actuellement. La porte du transistor elle-même sera gravée en 20 nm contre 50 nm actuellement et utilisera un nouveau composant, le siliciure de nickel, qui remplacera l’actuel polysilicium. D’autres innovations, notamment au niveau de l’organisation des composants, permettront d’optimiser le flux électrique afin d’en réduire les pertes et la chaleur dégagée.

AMD n’a cependant pas précisé la date de mise en oeuvre de ses technologies. Selon la roadmap du fondeur, la gravure en 90 nm ne sera abordée qu’en 2005. A cette date, Intel a annoncé qu’il commencerait la gravure en 65 nm (voir édition du 25 novembre 2003) et le 45 nm pour 2007. Il est donc à craindre qu’AMD, qui prend un sérieux retard sur son concurrent, ne franchisse pas le pas du 45 nm avant 2008.