AMD vers le milliard de transistors ?
AMD annonce une nouvelle technologie semi-conducteurs accompagnée d’une nouvelle finesse de gravure en 10 nanomètres contre 130 actuellement. Objectif : produire des processeurs dotés d’un milliard de transistors dans une puce de la taille de celles qui en contiennent actuellement 100 millions.
Loin du congrès d’Intel qui se déroule jusqu’au 12 septembre à San Jose, le voisin et non moins concurrent AMD vient d’annoncer une percée majeure dans la conception des semi-conducteurs. Le fondeur de Sunnyvale est parvenu à fabriquer le plus petit transistor à double entrée (ou jonction, double gate) à partir des technologies de fabrication standard. La technologie Double gate permet de doubler le flux du courant électrique qui transite via les transistors et, a priori, la vitesse de traitement.
De plus, ces transistors Double gate sont gravés en 10 nanomètres (ou 0,01 micron). Soit des composants six fois plus petits que ceux actuellement en production à 130 nm, selon AMD. Cette technologie permettrait de produire un milliard de transistors sur une surface qui en contient actuellement cent millions environ.
Des transistors au repos
Outre la miniaturisation qui accroît le nombre de semi-conducteurs (et donc la puissance du processeur), AMD applique la technologie Fin Field Effect Transistor (FinFET). Celle-ci permet de réduire la perte du courant électrique lorsque le transistor est en état inactif (off), ce qui devrait réduire les émissions de chaleur et permettre la conception de nouveaux processeurs. Cette technologie a été développée en collaboration avec l’Université de Berkeley et ne devrait pas être appliquée à l’échelle industrielle avant plusieurs années. Les détails de la technologie FinFET seront présentés à l’occasion de l’International Electron Devices Meeting (IEDM) en décembre prochain.