DDR-II : nouvelle génération de mémoire vive

A l’occasion du premier JEDEX, forum réunissant les industriels des semi-conducteurs à Santa Clara les 25 et 26 mars derniers, un membre du JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), organisme chargé de définir les standards de cette industrie, a présenté les premières spécifications de la mémoire DDR-II. Celle-ci est amenée à remplacer les DDR actuelles, à savoir les DDR200, 266, 333 voire DDR400. Déclinée en DDR-II 400, 533 et 667, les premières mémoires de ce type ne devraient pas apparaître avant 2004 sur le marché grand public. Ses spécifications finales doivent être fixées en septembre prochain. La DDR-II devrait être cadencée à terme à 800 et 1 000 MHz, et sera fournie en module pour carte mère (FPGA) en 200, 220 et 240 broches (pins). Les composants seront gravés en 130 nanomètres et bénéficieront d’un pre-fetch (précalcul des instructions à traiter) sur 4 bits au lieu de 2 aujourd’hui. La SDRam DDR-II devrait offrir une bande passante minimum de 3,2 Go/s (contre 2,7 Go/s avec la DDR333).

A l’heure où quelques constructeurs comme SIS ou VIA tentent d’introduire des chipsets pour la DDR333, l’approche de définition des spécifications de la DDR-II risque de ne pas faire l’affaire de certains. Notamment ceux, comme Micron et Samsung, qui espéraient une fenêtre commerciale pour l’exploitation de la DDR400 et s’apprêtaient à commercialiser leurs premiers exemplaires. De leur côté, Elpida Memory, Hynix Semiconductor et Infineon ont fait savoir le peu d’intérêt qu’ils portent à la DDR400, préférant concentrer leurs efforts sur la génération suivante. Le JEDEC n’a d’ailleurs pas validé les standards de la DDR400 et ne semble pas près de le faire. La DDR400 risque donc d’avoir vécu avant d’avoir vu le jour.