Des transistors 30 % plus rapides chez AMD

Le fondeur AMD annonce avoir créé un procédé de fabrication qui améliore de 30 % la vitesse de fonctionnement du plus rapide des transistors PMOS (Positive channel Metal Oxyde Semiconductor). AMD n’est pas très disert sur cette avancée et se contente de mettre en avant une technologie maison baptisée « Fully Depleted Silicon-on-Insulator » (FDSOI). Il faudra attendre le 11 juin 2003, jour où le fondeur de Sunnyvale devrait dévoiler les détails de ses travaux à l’occasion du symposium VLSI qui se déroulera à Kyoto (Japon).

Rappelons que le transistor est l’élément de base du processeur et de tout circuit intégré en général. C’est lui qui assure la transmission, ou non, du courant électrique. Agencés selon une architecture précise, les millions de transistors qui composent un circuit intégré lui permettent d’exécuter des fonctions logiques répondant aux exigences des programmes informatiques.

Une avancée majeure

Si l’annonce d’AMD se concrétise, elle devrait constituer une avancée majeure dans la conception des processeurs, dont les utilisateurs pourraient bénéficier dans la seconde moitié de la décennie. Difficile, pour le moment, de savoir sur quoi repose ce gain de performance et ce qu’il apportera vraiment. Cependant, Craig Sander, vice-président et responsable du développement de la technologie processeurs, évoque « moins de déperdition électrique et un voltage moins élevé ». Alors, réduction de la taille des composants ? Choix des matériaux ? Réponse en juin à Kyoto.