FRam : Flash et DRam réunies

La Ferroelectric Ram (FRam) présente l’avantage de combiner le meilleur de la Flash et de la DRam. Elle conserve les informations sans nécessiter un apport continu d’énergie et traite le signal aussi rapidement que la DRam de nos ordinateurs. Bref, la FRam ressemble à la mémoire idéale. Sauf qu’on ne trouve aucun produit qui exploite cette technologie pourtant prometteuse au vue des acteurs qui ont investi un marché estimé à 13 milliards de dollars pour l’année 2000. Et pour cause, en 32 Kbits comme en 64 Kbits, la FRam ne trouve pas de débouchés commerciaux tant pour des raisons techniques que de coût.

La récente mise au point du module FM24C256-SE par Ramtron pourrait donner le signal de départ à la production commerciale de mémoire FRam. Avec ses 256 Ko de capacité et sa fréquence de lecture/écriture de 100 KHz (avec un bus cadencé à 1 MHz), il est appelé à remplacer certaines puces Flash et EEPROM. Par ailleurs, le FM24C256-SE autorise un nombre illimité de lectures/écritures alors que les EEPROM sont limités à un million de fois environ. Mais c’est une avancée majeure dans sa conception qui en autorise la production industrielle économiquement viable. Ramtron a réussi à créer des cellules mémoire d’un seul transistor (1-transistor, 1-capacitor memory cell ou 1T/1C) alors que jusqu’à présent, deux transistors (2T/2C) étaient nécessaires pour le même bit d’information.

Pour l’automobile et les produits grand public

Résultat, deux fois plus de capacité mémoire pour des coûts de production optimisés. Ramtron va d’ailleurs lancer la production de son FM24C256-SE dans le courant du premier trimestre 2002 au prix de 3,92 dollars pour 10 Ko. Ramtron vise le marché des mémoires non volatiles dans l’automobile et les produits grand public. Ce qui signifie aussi qu’on ne les verra pas tout de suite dans nos ordinateurs.