HP présente le plus petit circuit de mémoire au monde

A l’occasion du 175e anniversaire de l’Institut Royal des technologies de Stockholm (Suède), qui se tenait le 9 septembre dernier, Stanley Williams, directeur de recherches en sciences quantiques chez Hewlett Packard, a annoncé avoir franchi une étape majeure dans l’électronique moléculaire. Le professeur Williams et son équipe ont réussi à mettre au point une mémoire électronique moléculaire d’une densité jamais atteinte à ce jour. Il s’agit d’un circuit de 64 bits exploitant des « interrupteurs » moléculaires logés dans une surface d’un micron carré. Une surface tellement petite que « mille de ces circuits pourraient tenir sur un bout de cheveu humain », estime-t-on chez HP, qui ajoute que « le système offre une densité binaire plus de dix fois plus grande qu’avec les mémoires en silicium actuelles ».

Le record de densité n’est pas le seul aspect impressionnant de l’annonce. Les chercheurs du HP Labs sont parvenus à combiner mémoire réinscriptible et non volatile. Autrement dit, une mémoire effaçable comme la DRAM de nos PC et qui ne nécessite pas d’énergie en continu pour assurer la conservation des données, comme avec la technologie Flash. Enfin, cerise sur le gâteau, les procédés de fabrication basés sur une méthode d’impression « lithographique » (nano-imprint lithography) pourraient rapidement être adaptés aux moyens de production actuels et à des coûts économiques.

Des « intersections » en platine

Pour parvenir à leurs fins, les chercheurs ont fabriqué un « moule » de 8 lignes de 40 nanomètres (0,04 micron) à partir duquel ils ont créé une grille de 64 « intersections » en platine sur laquelle ils ont déposé une couche de molécules électroniquement permutables (switchable) grâce à un courant électrique. L’état actif ou inactif de chaque molécule est ensuite mesuré à l’aide d’un autre courant électrique plus faible.

Certes, un circuit de 64 bits (8 octets) offre une trop faible capacité pour être exploité tel quel. Mais la petite taille et la conception innovante laissent présager une nouvelle génération de puces mémoire. C’est du moins ce qu’avance Stanley Williams, persuadé que « les capacités et les performances pourront être considérablement étendues en appliquant les circuits à permutateurs moléculaires sur du silicium conventionnel sans avoir à subir des changement complexes et coûteux » de fabrication. Quatre brevets ont été déposés et les articles destinés aux revues scientifiques pour validation de la découverte sont en cours de publication. Sa mise en application à l’échelle industrielle n’est donc pas encore à l’ordre du jour.