Dans son fief suisse de Zurich, IBM a inauguré un nouveau type de mémoire non-volatile testée depuis 5 mois en laboratoire.
Elle serait 100 fois plus rapide que les modules à base de Flash actuellement disponibles sur le marché.
Grâce à une technologie dénommée PCM (« phase-change memory », ou changement de phase), ces nouveaux composants signés Big Blue stockent jusqu’à 4 bits par cellule.
Ils ne seront toutefois disponibles qu’à partir de 2016, selon les prévisions de leur fabricant. Mais au jeu des promesses d’IBM, l’attente semble en valoir la chandelle.
En effet, le multi-bit augure non seulement des économies d’énergie, mais aussi une efficacité accrue et une durée de vie conséquente pour ces modules munis de plus de 200 000 cellules.
Les terminaux mobiles devraient tout particulièrement s’accommoder à ce nouveau type de mémoire dont le débit d’écriture plafonne à 10 microsecondes.
C’est 100 fois plus rapide que les supports actuels (cartes Compact Flash et disques SSD, entre autres).
A terme, les ordinateurs de bureau, mais aussi les data centers, en seront vraisemblablement équipés, selon Silicon.fr.
Les quelques 10 millions de cycles d’écriture (contre 30 000 pour les produits actuels, selon IBM) devraient allonger considérablement la durée de vie de l’ensemble.
Point faible de la mémoire Flash conventionnelle, celle que l’on adjoint souvent aux disques durs classiques, sa perte de résistance électrique aux fil des cycles d’utilisation. Ce qui occasionne, à la longue, des erreurs de lecture et d’écriture.
En modulant cette résistance électrique, IBM parvient surtout à stocker et à restituer simultanément jusqu’à 4 bits de données (00, 01, 10 et 11 lors de la démonstration).
Pionnier du domaine, IBM n’en est pourtant pas l’initiateur. En effet, SanDisk a déjà investi le marché avec ses cellules Flash stockant jusqu’à 4 bits.
Si ce type de mémoire venait à se répandre et à gagner le cœur des ordinateurs personnels, ceux-ci pourraient démarrer quasi instantanément, les temps d’accès étant 100 fois inférieurs aux composants CMOS actuels.
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