IBM étend la performance des processeurs grâce au germanium

IBM vient d’annoncer avoir mis une technologie de gravure de semi-conducteurs qui multiplie par trois les performances des transistors. Les chercheurs d’IBM sont parvenus à placer une couche de « Germanium tendu » (strained Germanium) dans une portion critique du transistor : la partie où circule le courant électrique baptisée « le canal » (The Channel).

Le composant Germanium, un métal pur, est réputé pour offrir une meilleure conductivité que le traditionnel silicium. Il permet ainsi de réduire considérablement les fuites d’électrons, sources d’erreur, de dégagement de chaleur et donc de consommation électrique. Le Germanium est d’ailleurs déjà employé dans la production de certaines puces mais comme élément complémentaire au silicium.

Mais jusqu’à présent, les chercheurs se heurtaient à l’intégration dustrained Germaniumdans le cadre de la fabrication traditionnelle des composants électroniques. L’innovation des chercheurs d’IBM réside donc dans l’intégration du Germanium à ce niveau du composant dans le cadre d’une technologie de production actuelle. Outre les performances accrues, le Germanium présente donc l’avantage de pouvoir être compatible avec les procédé de gravure actuels. Quand on sait que l’ouverture d’une usine de production de processeurs se chiffre en milliards de dollars, on comprend l’intérêt à conserver les mêmes technologies de gravure.

Prêt pour le 32 nanomètres

L’exploit pourrait surtout apporter une réponse à la problématique des fuites énergétiques induites par la réduction des composants. Plus les transistors sont petits et plus ils sont performants. Mais plus les risques de fuites sont importants. D’où l’intérêt du Germanium qui, selon IBM, pourrait être utilisé dans les processeurs gravés en 32 nanomètres et moins (contre 90 nm aujourd’hui). Le 32 nm est attendu pour 2013. Au final, le Germanium permettra de produire des processeurs plus petits et plus puissants dans le courant de la décennie.

Le nouveau composant Germanium complète le tableau de recherches d’IBM au nombre desquelles on compte le silicium germanium, silicon-on-insulator (SOI) et le strained silicium en attendant les nanotubes de carbone. IBM devrait fournir plus de détails sur sa technologie à l’occasion du 2004 International Electron Devices Meeting (IEDM) qui se tiendra à San Francisco du 13 au 15 décembre prochain.