IBM fait un nouveau pas vers la production de nanotransistors

Les chercheurs d’IBM seraient parvenus à contourner un obstacle majeur dans le développement de nanotransistors. Ils ont résolu un problème d’interférence qui les a longuement déconcerté et empêché la construction de transistors à partir de minuscules particules de graphite.

Le problème apparaît lorsque les scientifiques tentent de construire des circuits avec du graphène, une structure en grille 2D fabriquée à partir d’atomes de carbone. Les propriétés électriques du graphène en font une alternative idéale pour des transistors au silicium plus grands.

Mais l’un des problèmes majeurs du graphène, le matériau de ‘grillage atomique’, est qu’il est extrêmement sensible aux interférences. Les signaux électriques rebondissent autour de la structure, affectant son fonctionnement normal et créant une condition connue sous le nom de ‘Règle de Hooge’.

« L’effet de bruit de la Règle de Hooge est exagéré à l’échelle nanométrique car les dimensions sont proches des limites les plus basses, jusqu’à une poignée d’atomes« , explique le chercheur d’IBM Dr Phaedon Avouris. « Le bruit créé peut noyer le signal électrique qui doit être produit. En d’autres termes, vous ne pouvez pas produire d’appareil électronique utile à l’échelle nanométrique si le bruit est comparable au signal que vous tentez d’activer et de désactiver. »

Les chercheurs sont parvenus à résoudre le problème en ajoutant une seconde couche de graphène au transistor. Lorsque deux couches sont utilisées, les interférences sont réduites à un niveau suffisamment bas pour permettre au transistor de fonctionner normalement.

IBM a précisé qu’il était nécessaire de pousser davantage les recherches, mais que les mailles de graphène pouvaient être utilisées dans de futurs produits tels que des capteurs, appareils de communication et ordinateurs.

Traduction de l’article IBM boffins inch closer to nano-transistors de Vnunet.com en date du 10 mars 2008.