Innovation : le transistor le plus rapide du monde est américain

Un groupe de chercheurs américains affirme avoir mis au point le transistor le plus rapide au monde. Battant leur propre record de vitesse, les scientifiques de l’University of Illinois at Urbana-Champaign ont présenté lors d’une démonstration un transistor capable de fonctionner à une fréquence de 845 GHz.

L’équipe se félicite des capacités de ce transistor en phosphure d’indium et en arséniure de gallium-indium, qui serait plus rapide que son concurrent le plus proche de l’ordre de 300 GHz.

Le nouveau transistor utilise une forme pseudomorphe des couches base-collecteur, explique Milton Feng, professeur de génie électrique et informatique dans l’Illinois. « La composition de ces composants augmente la vitesse des électrons, ce qui permet de réduire la densité de courant et la durée de chargement. » Avec un tel dispositif, Milton Feng pense pouvoir atteindre enfin le « Saint Graal » du transistor térahertz.

Les chercheurs ont non seulement utilisé une construction de matière pseudomorphe, mais ont également affiné leur procédé de fabrication de telle manière à produire des composants transistors les plus petits possibles. La base du transistor ne mesure que 12,5 nm d’épaisseur.

« En élaborant le produit de manière verticale, nous avons réduit la distance de parcours des électrons, ce qui a permis d’améliorer la vitesse du transistor », explique l’étudiant en doctorat William Snodgrass. « La taille du collecteur a également été réduite latéralement, augmentant ainsi la vitesse de chargement et de déchargement du transistor. »

Traduction d’un article de Vnunet.com en date du 13 décembre 2006