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Intel et Micron ralliés autour d’une Flash Nand plus rapide

Intel et Micron Technology ont annoncé une nouvelle technologie Flash Nand qui serait cinq fois plus rapide que la Nand classique. La Flash Nand est employée dans les mémoires de type SSD (Solid-State Drive) telles que les clés USB ou les cartes mémoires.

La nouvelle technologie a été mise au point par IM Flash Technologies, une société commune entre Intel et Micron. La technologie permettrait d’atteindre un transfert de données exceptionnel pour l’informatique, la vidéo, la photographie et les autres applications grand public.

La nouvelle mémoire repose sur une architecture à quatre plans offrant des fréquences d’horloge supérieures, ce qui lui permet d’atteindre des débits allant jusqu’à 200 Mo/s en lecture et 100 Mo/s en écriture. A titre de comparaison, les processeurs Nand classiques (à 1 niveau) permettent d’obtenir des vitesses de 40 Mo/s en lecture et de 20 Mo/s en écriture.

« Le marché de l’informatique adopte les solutions basées sur la technologie Nand afin d’accélérer les performances du système grâce à l’utilisation de mémoires caches et de disques durs SSD », souligne Pete Hazen, directeur marketing de la division Produits Nand d’Intel.

IM Flash Technologies espère voir sa technologie utilisée dans divers appareils de nouvelle génération, notamment des disques durs hybrides, des caméras vidéo haute définition ou des mémoires PC.

Selon la société, la prochaine interface USB 3.0 qui vise une bande passante 10 fois supérieure à celle du standard USB 2.0 actuel signifie que la technologie Nand classique deviendra un goulet d’étranglement pour les performances système.

« Micron se réjouit à l’idée d’ouvrir les nombreuses possibilités de la technologie Nand haut débit et d’optimiser les technologies de système qui tirent parti de ses performances améliorées », a déclaré Frankie Roohparvar, directeur du développement Nand chez Micron.

Traduction de l’article Intel and Micron develop super-fast Nand Flash de Vnunet.com en date du 1er février 2008.

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