Intel s’offre une grosse tranche de silicium
Le fondeur compte baisser d’environ un tiers le coût de fabrication de ses processeurs grâce à l’utilisation de nouvelles tranches de silicium de 300 millimètres de diamètre. Et prévoit l’introduction de la gravure au cuivre à 0,13 micron d’ici deux ans.
Intel vient d’annoncer le lancement d’un programme de fabrication de puces particulièrement ambitieux. Actuellement, le fondeur produit ses microprocesseurs à partir de tranches de silicium (wafers) d’un diamètre de 200 millimètres. Or il prévoit de multiplier par plus de deux le nombre de puces fabriquées sur chaque wafer en passant à des tranches de 300 millimètres. Par rapport à aujourd’hui, la nouvelle surface permettrait d’augmenter de 240% en théorie la quantité de composants produits. En outre, ce nouveau mode de fabrication offre une perspective de réduction des coûts de 30% selon Intel.
Le fondeur prévoit de démarrer les travaux et l’installation des équipements adaptés aux nouveaux « wafers » dès le début de l’année prochaine, dans son usine de Hillsboro dans l’Oregon. Ce centre de développement recevra par ailleurs 1,2 milliard de dollars au total durant plusieurs années pour assurer son fonctionnement.
La première fabrication industrielle à l’aide de wafers de 300 millimètres est prévue pour 2002 et se fera avec une technologie de gravure au cuivre à 0,13 micron. Une telle finesse de gravure devrait toutefois faire partie du standard à cette époque. Après avoir entamé cette année le passage au 0,18 micron (voir édition du 15 février 1999), Intel considère qu’il aura déjà atteint le seuil du 0,13 micron en 2001, soit un an avant l’arrivée des tranches de 300 millimètres. Soucieux de conserver son avance dans la course au nombre de millions de transistors intégrés dans chaque processeur, Intel assure que ses nouvelles puces pourront tirer parti d’applications sophistiquées comme la reconnaissance vocale ou la représentation de mondes virtuels.
Pour en savoir plus : http://www.intel.com (US)