La Magnetic RAM annoncée pour 2005

Imaginez un ordinateur prêt à l’emploi aussitôt allumé, à la manière d’un interrupteur qui fournit instantanément la lumière électrique. Plus besoin d’attendre le chargement du BIOS et du système d’exploitation. C’est ce que devrait permettre, à terme, la MRAM. Développée par IBM et Infineon Technologies, la Magnetic Random Access Memory combine le meilleur de la mémoire Flash (pour la conservation des données même quand l’alimentation électrique est coupée) et la rapidité de la mémoire statique (SRAM), tout en offrant de faibles coûts de fabrication. La MRAM conserve les données de manière magnétique plutôt qu’électrique comme le fait la Flash. Outre l’instantanéité de l’accès aux données, elle réduit considérablement la consommation électrique.

Un développement de longue haleine

Seulement, la MRAM est encore en cours de développement. IBM et Infineon ont profité du VLSI Symposia à Tokyo pour présenter un module de 128 Kbits (16 Ko) sur lequel les industriels ont démontré leur capacité à écrire et lire des données. Gravé en 0,18 micron, le module occupe une surface carrée de 1,4 micron de côté.

Cette présentation permet aux deux industriels d’espérer une commercialisation de la MRAM pour 2005. Il serait temps : IBM travaille sur cette mémoire depuis les années 70. La MRAM pourrait devenir une mémoire universelle exploitée dans les téléphones mobiles, assistants personnels, voire les ordinateurs portables. Les ordinateurs de bureau n’ont pas été évoqués. Il est vrai que leur alimentation permanente les rend moins sensibles à ce type de mémoire. La mise au point de la MRAM devrait se poursuivre à travers la joint-venture ALTIS Semiconductor créée par IBM et Infineon et basée dans l’Essonne. ALTIS entrera en concurrence avec Toshiba, Motorola et NEC, qui se sont également investis dans le développement de la MRAM.