Mémoire Flash : Intel en solo sur la NOR et en duo sur la NAND

Intel a annoncé, le 18 novembre, la disponibilité d’une nouvelle génération de mémoire cellulaire. Répondant au nom de StratFlash M18, cette mémoire Flash de type NOR (abréviation de « Not OR », désignant l’opération logique « non ou ») est la première puce multiniveau (MLC pour Multi-Level Cell) gravée en 90 nanomètres par Intel, contre 130 nm pour la version précédente, la L18.

Selon Intel, cette avancée technologique permet d’accélérer les échanges de données entre le circuit logique et la mémoire elle-même. Ainsi, toujours selon le constructeur, la M18 « affiche les vitesses de lecture les plus élevées du secteur ». Avec des débits pouvant atteindre 0,5 Mo/s en écriture et un bus cadencé à 133 MHz synchrone avec le jeu de composants (chipset), la M18 répond parfaitement aux besoins des téléphones mobiles et prend en charge les appareils photo à 3 mégapixels et le traitement des flux vidéo en MPEG-4.

NOR contre NAND

De plus, la gravure en 90 nm devrait optimiser les coûts de production pour les fabricants. La M18 divise par trois les délais de programmation et ne consommerait qu’un tiers de l’énergie nécessaire à la génération 130 nm. Enfin, elle dispose d’un mode veille baptisé Deep Power Down, censé augmenter l’autonomie de l’appareil qui l’embarque. La M18 est déclinée en versions 256 et 512 Mbits (32 et 64 Mo) ainsi qu’en version empilée de 1 Gbit (128 Mo).

Intel compte beaucoup sur sa nouvelle génération de mémoire NOR pour conserver la main sur le marché de la mémoire Flash, sur lequel elle est en compétition avec la technologie NAND (pour « No AND » ou « Non et »), essentiellement soutenue par Samsung et Toshiba. La première, qui est censée être plus rapide mais moins résistante, serait capable d’effectuer entre 10 000 et 100 000 opérations de lecture ou écriture contre 1 million pour la seconde.

Des qualités qui ont valu à la Flash NAND une intégration rapide dans les appareils photo et autres baladeurs numériques (comme l’iPod Nano, notamment). Du coup, Intel ne pouvait rester inactif face à cette montée en volume de la mémoire NAND. Le fondeur a ainsi signé, le 21 novembre, un accord avec Micron Technology (qui produit déjà de la DRAM, de la mémoire Flash NAND et des capteurs CMOS). Les deux acteurs vont créer, d’ici la fin de l’année, une entreprise commune spécialisée dans la production de mémoire Flash NAND. La nouvelle entité devrait être baptisée IM Flash Technologies. Intel détiendra 49 % du capital et Micron 51 %.

Un premier accord avec Apple

Chaque entité s’engage à verser 1,2 milliard de dollars environ pour assurer le lancement d’IM Flash Technologies, somme qui sera complétée par 1,4 milliard de dollars supplémentaires répartis sur trois ans. Des investissements complémentaires ponctuels pourront intervenir pour assurer la croissance de l’activité. Un premier accord sur le long terme a déjà été signé avec Apple. Intel et Micron, chacun de leur côté, s’engagent à fournir une part significative de leur production de mémoires Flash à Apple contre un versement de 250 millions de dollars à chaque producteur.

IM Flash Technologies ambitionne d’entrer en production dès le début 2006 et compte rapidement passer à des modes de fabrication de 72 et 50 nanomètres. Les usines seront basées aux Etats-Unis, dans l’Idaho et l’Utah. IM Flash sera dirigée par Dave Baglee, ancien responsable de la Fab 11 d’Intel, et Rod Morgan, responsable fabrication chez Micron. Les deux entreprises n’ont pas rendu publics leurs objectifs mais l’alliance devrait se montrer très agressive. Samsung et Toshiba n’ont qu’à bien se tenir.