Mémoire Flash : Toshiba veut dépasser Samsung
Le constructeur japonais veut atteindre 40 % de la production mondiale de
mémoire Flash dès 2008.
Le dirigeant de Toshiba Semiconductor espère que sa compagnie va dépasser Samsung et devenir le plus important fournisseur de mémoire Flash NAND (la technologie utilisée dans les cartes mémoire destinés aux appareils mobiles, photos numériques, etc.) en 2008. A l’occasion de l’ouverture d’un nouveau centre de production au Japon baptisé Fab 4, Shozo Saito a déclaré que la production de composants Flash allait devenir une part de plus en plus importante des activités de Toshiba.
L’entreprise espère fournir 40 % des mémoires Flash NAND mondiales en 2008. « L’usine Fab 4 disposera de capacités de production mondiales« , a déclaré Shozo Saito. « Cela nous permettra de renforcer notre position sur le marché en forte progression des mémoires Flash tout en fournissant un puissant moteur de croissance. »
Toshiba s’est associé à Sandisk pour construire l’usine dont la mise en production démarrera en 2007. Une fois pleinement opérationnelles, l’unité sera en mesure de produire jusqu’à 80 000 galettes de silicium (wafer) par mois d’ici l’année prochaine avec une capacité maximale potentielle pouvant monter à 210 000 pièces.
« L’énorme tailles et la portée technologique de la Fab 4 reflète notre confiance et notre optimisme pour l’avenir« , a déclaré le Docteur Eli Harari, dirigeant de SanDisk Corporation. « Nous croyons que cela nous permettra de répondre à la demande concurrentielle de nos clients en matière de stockage sur Flash dans les années à venir. »
L’usine a été conçue pour résister aux secousses sismiques et dispose d’un système électrique de secours afin de pouvoir poursuivre la production même en cas de black out.
Adaptation d’un article de Vnunet.com en date du 7 septembre 2007.