Crocus Technology, société grenobloise spécialisée dans les technologies de fabrication de mémoires vives de type MRAM*, vient de lever 13,5 millions d’euros auprès d’un pool de sociétés de capital-risque : Sofinnova Ventures, Ventech, CDC Entreprises Innovation, AGF Private Equity, Sofinnova Partners et NanoDimension. Un premier tour de table impressionnant qui est destiné à accompagner le développement des « mémoires d’avenir ».
Créée en avril 2004, Crocus Technology s’est d’abord appuyée sur les filiales de valorisation du Commissariat de l’Energie Atomique (CEA) et du Centre Nationale de Recherche Scientifique (CNRS). Ce type de structure sert de passerelle entre le monde de la recherche et le secteur industriel. Crocus Technology a vocation à transformer la technologie MRAM, que le laboratoire Spintec (commun au CEA et au CNRS) avait brevetée, en une véritable activité industrielle.
Avec cette levée de fonds, Crocus Technology compte développer un prototype de mémoire dans les douze prochains mois avant de passer à une réelle phase commerciale. Actuellement, la société est constituée autour d’une petite équipe : 8 personnes en comptant les quatre fondateurs (dont Jean-Pierre Braun qui occupe les fonctions de directeur général). L’effectif devrait passer à 20 personnes dès l’année prochaine. Une cellule de développement dans la Silicon Valley prend en charge la partie conception des circuits tandis que l’équipe de Grenoble s’occupe du volet process.
Avantages et applications multiples de la mémoire MRAM
Selon les entrepreneurs et les investisseurs réunis autour de Crocus Technology, les applications liées à la mémoire MRAM sont « nombreuses et variées ». Ses caractéristiques lui permettraient d’être insérées dans des processus de développement de semi-conducteurs pour une intégration finale dans des équipements sans fil (téléphones mobiles, PDA, baladeurs, ordinateurs portables, tags RFID?). Les mémoires MRAM présentent des avantages considérables : non volatilité, vitesse d’écriture et de lecteur élevée, endurance supérieure et bas coût de fabrication.
*Magnetic Random Access Memories, mémoires magnétiques à accès aléatoire
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