Une équipe internationale de scientifiques a dévoilé une architecture mémoire révolutionnaire qui combine des nanofils de silicium avec un type de stockage de données plus traditionnel.
Cette structure hybride pourrait être plus fiable que les autres systèmes de mémoire basés sur des nanofils récemment développés, et serait également plus facile à intégrer dans des applications commerciales.
L’architecture a été développée par les chercheurs du National Institute of Standards and Technology (Nist), de la George Mason University et de la Kwangwoon University en Corée du Sud.
La technique passe par l’intégration de nanofils avec un type de mémoire non-volatile de niveau supérieur, similaire à flash, une structure en couches connue sous le nom de technologie de semi-conducteur baptisée » oxyde-nitrure-oxyde-semiconducteur ».
Les nanofils sont positionnés selon la technique dite « hands-off self-alignement », qui permettrait de ramener les coûts de production en masse – et par conséquent le coût global – de terminaux à un niveau inférieur à celui des cartes mémoires flash, qui nécessitent des méthodes de fabrication plus complexes.
Les chercheurs ont développé les nanofils sur un substrat en couche d’oxyde-nitrure-oxyde. L’application d’une tension positive sur les fils force les électrons des fils dans le substrat, qui est ainsi chargé électriquement.
Une tension négative permet de ramener les électrons du substrat vers les fils. Ce processus est la clé du fonctionnement de la mémoire des appareils.
Lorsqu’il est entièrement chargé, chaque dispositif de nanofil stocke un bit d’information, un ‘0’ ou un ‘1’, suivant la position des électrons, expliquent les scientifiques.
La conception du Nist pourrait présenter deux avantages par rapport aux autres alternatives de dispositifs de mémoire basés sur les nanofils : une meilleure stabilité à des températures élevées, et une intégration plus aisée dans la technologie de fabrication des puces existante.
Traduction d’un article de Vnunet.com en date du 11 juin 2007
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