Kioxia Corporation, leader mondial des solutions de mémoire, a annoncé aujourd’hui le développement de la technologie OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), un nouveau type de DRAM avec architecture 4F2, composée d’un transistor semi-conducteur à oxyde qui possède à la fois un un courant ON élevé et un courant OFF ultra-faible. Cette technologie devrait permettre d’obtenir une DRAM à faible consommation d’énergie en mettant en valeur la propriété de fuite ultra-faible du transistor InGaZnO*1. Cette annonce a été faite pour la première fois à l’occasion de l’IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), qui s’est tenue à San Francisco, en Californie, le 9 décembre 2024. Cette avancée a été développée en collaboration par Nanya Technology et Kioxia Corporation. Elle est susceptible de réduire la consommation d’énergie dans de nombreuses applications, notamment pour les systèmes de communication AI et post-5G, ainsi que pour les produits IdO.
Ce communiqué de presse contient des éléments multimédias. Voir le communiqué complet ici : https://www.businesswire.com/news/home/20241209857265/fr/
Fig.1: Cross-sectional TEM image for the InGaZnO vertical transistor (Photo: Business Wire)
La technologie OCTRAM utilise un transistor vertical InGaZnO en forme de cylindre (Fig.1) comme transistor de cellule. Cette conception permet d’adapter une DRAM 4F2, qui offre des avantages non négligeables en termes de densité de mémoire par rapport à la DRAM 6F2 traditionnelle, à base de silicium.
Le transistor vertical InGaZnO permet d’obtenir un courant ON très élevé, supérieur à 15μA/cellule (1,5 x 10-5 A/cellule), et un courant OFF très faible, inférieur à 1aA/cellule (1,0 x 10-18 A/cellule), grâce à une optimisation du dispositif et des processus (Fig.2). Dans la technologie OCTRAM, le transistor vertical InGaZnO est intégré en haut d’un condensateur à ratio élevé (processus « capacitor-first »). Cette configuration permet de découpler l’interaction entre le processus de condensateur avancé et les performances du transistor InGaZnO (Fig.3).
*1 : InGaZnO est composé de In(indium), Ga(gallium), Zn(zinc), et O(oxygène)
- Ce communiqué a été préparé pour fournir des informations sur nos activités et ne constitue pas, ni ne fait partie d’une offre ou d’une invitation à vendre ou d’une sollicitation d’une offre d’achat ou de souscription ou d’acquisition de titres dans une quelconque juridiction ou d’une incitation à s’engager dans une activité d’investissement, et ne doit pas servir de base ou être pris en compte dans le cadre d’un contrat.
- Les informations contenues dans ce document, notamment les prix et les spécifications des produits, le contenu des services et les coordonnées des personnes à contacter, sont correctes à la date de l’annonce, mais peuvent être modifiées sans préavis.
À propos de Kioxia
Kioxia est un leader mondial des solutions de mémoire, consacré au développement, à la production et à la vente de mémoires flash et de disques durs à semi-conducteurs (solid-state drives, SSD). En avril 2017, son prédécesseur Toshiba Memory s’est séparé de Toshiba Corporation, la société qui a inventé la mémoire flash NAND en 1987. En matière de mémoire, Kioxia vise à édifier le monde en proposant des produits, services et systèmes qui offrent davantage de choix pour les clients et créent plus de valeur basée sur la mémoire, pour la société. La technologie de mémoire flash 3D innovante de Kioxia, BiCS FLASH™, façonne l’avenir du stockage à haute densité dans les applications, notamment pour les Smartphones avancés, les PC, les SSD, l’automobile et les centres de données.
Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.
Consultez la version source sur businesswire.com : https://www.businesswire.com/news/home/20241209857265/fr/