Kioxia Corporation, leader mondial en solutions de mémoire, a annoncé aujourd’hui avoir remporté le Prix impérial de l’invention 2020 de l’Éloge national pour l’invention, concernant l’invention par la société de son dispositif de mémoire flash 3D à haute densité et de sa méthode de fabrication (brevet n° 5016832), qui améliore grandement la capacité de mémoire et qui réduit les coûts de fabrication.
Le prix a été décerné par l’Institut japonais de l’invention et de l’innovation, et prouve l’importance de la mémoire flash dans le cadre du stockage de données des applications allant des smartphones aux centres de données. L’Éloge national pour l’invention récompense les inventions, idées ou conceptions remarquables, qui aboutissent ou devraient aboutir à des résultats significatifs grâce à leur excellence. Le Prix impérial de l’invention constitue la récompense la plus prestigieuse du programme.
Lauréats (employé de Kioxia, sauf mention contraire)
Prix impérial de l’invention :
- Masaru Kito, responsable de groupe, Centre de développement avancé de mémoire
- Hideaki Aochi, expert principal, Institut de recherche et développement en matière de technologies de mémoire
- Ryota Katsumata, assistant du directeur général, Centre de développement avancé de mémoire
- Masaru Kido, spécialiste en chef, division Stratégie de développement de mémoire
- Hiroyasu Tanaka, spécialiste en chef, Centre de développement avancé de mémoire
- Akihiro Nitayama (ancien employé de Toshiba Corporation)
Prix de la réussite en matière de mise en œuvre :
Nobuo Hayasaka, PDG
La technologie de mémoire flash en trois dimensions de Kioxia a été récompensée du Prix 2019 du ministère de l’Éducation, de la culture, des sports et des technologies dans le cadre de l’Éloge local pour l’invention de Chubu, et a reçu le prix IEEE Andrew S. Grove 2021 pour ses contributions pionnières et durables en faveur de la mémoire flash en trois dimensions à haute densité.
La technologie conventionnelle de mémoire flash en deux dimensions dispose les cellules dans une structure en deux dimensions au sein de laquelle la cellule de mémoire, unité minimale destinée au stockage de données, est positionnée dans une direction plane. La miniaturisation des cellules de mémoire permet d’accroître la capacité de mémoire par unité de surface, ce qui offre une capacité supérieure ainsi qu’une réduction des coûts de production. Néanmoins, la miniaturisation s’approche de ses limites physiques.
La technologie de mémoire flash en trois dimensions de Kioxia constitue une approche révolutionnaire, qui simplifie significativement le processus de fabrication permettant d’empiler verticalement des cellules de mémoire, afin de concevoir une mémoire flash 3D à haute densité. Tandis que l’empilage conventionnel nécessitait des processus répétitifs de dépôt et de structuration dans le cadre de la fabrication de matrices de cellules de mémoire, cette technologie empile dans un premier temps les matériaux des cellules de mémoire, puis permet à chaque cellule de recourir simultanément à un processus de structuration unique, réduisant ainsi significativement les étapes de traitement.
La mémoire flash en trois dimensions à haute capacité et haute performance constitue désormais la technologie leader sur le marché. Après avoir commercialisé en 2015 le BiCS FLASH™ à 48 couches, mémoire flash en trois dimensions, Kioxia a poursuivi sa lancée en produisant en masse des versions à ultra-haute densité à 64 et 96 couches.
À propos de Kioxia Group
Kioxia est un leader mondial en solutions de mémoire, consacré au développement, à la production et à la vente de mémoires flash et de disques durs (SSD). En avril 2017, son prédécesseur Toshiba Memory s’est séparée par essaimage de Toshiba Corporation, la société qui a inventé la mémoire flash NAND en 1987. La société est pionnière dans le domaine des services et solutions de mémoire de pointe, visant à enrichir la vie des individus et élargir les horizons de la société. La technologie de mémoire flash 3D innovante de Kioxia, BiCS FLASH™, façonne l’avenir du stockage dans les applications à haute densité telles que smartphones, ordinateurs, disques durs SSD, produits automobiles et centres de données les plus sophistiqués.
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