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Toshiba envoie maintenant des prototypes d’une mémoire flash en 3D à 64 couches, de 512 gigabits

— Donne un nouvel élan à la gamme avec une puce BiCS FLASH™ de
capacité plus élevée —

TOKYO–(BUSINESS WIRE)–Toshiba
Corporation
(TOKYO : 6502) dévoile aujourd’hui la dernière nouveauté
de sa gamme leader de l’industrie de mémoires flash en trois dimensions
BiCS FLASH™, dotées d’une structure de cellules empilées*1,
un dispositif à 64 couches qui permet d’atteindre une capacité de 512
gigabits (64 gigaoctets), grâce à une technologie à 3 bits par cellule
(cellule de type triple, Triple-level cell, TLC). Le nouveau module sera
utilisé dans les applications comprenant les SSD entreprise et grand
public. Les expéditions des prototypes de ces puces ont commencé ce
mois-ci, et la production de masse est prévue pour le deuxième semestre
de cette année civile.

Toshiba continue de perfectionner BiCS FLASH™, et la prochaine étape
dans cette voie de développement est la capacité la plus élevée de
l’industrie*2, un produit d’1 teraoctet avec une architecture
empilée à 16 puces dans un seul module. Selon les plans, les premiers
prototypes devraient être expédiés en avril 2017.

Concernant le nouveau dispositif à 512 gigabits, Toshiba a déployé un
procédé d’empilage leader à 64 couches pour obtenir une capacité plus
importante de 65 % par taille de puce unitaire que le dispositif de 256
gigabits à 48 couches (32 gigaoctets), et a augmenté la capacité de
mémoire par plaquette de silicium, réduisant ainsi le coût par bit.

La division Memory (Mémoire) de Toshiba produit déjà en masse des
modules à 64 couches contenant 256 gigabits (32 gigaoctets) et
développera la production de BiCS FLASH™. Elle fera progresser la
technologie 3D en vue d’obtenir des densités plus élevées et des
procédés plus fins afin de faire face aux besoins variés du marché.

 
*1:   Une structure empilant des cellules de mémoire Flash à la verticale
sur un substrat de silicium afin d’obtenir des améliorations
significatives de la densité par rapport à la mémoire flash planaire
NAND, où des cellules sont formées sur le substrat de silicium.
*2 : Au 22 février 2017. Enquête de Toshiba.
* BiCS FLASH est une marque déposée de Toshiba Corporation.
 

À propos de Toshiba
Toshiba
Corporation, fondée en 1875 à Tokyo, est une société figurant au
classement Fortune Global 500 qui contribue à un monde et à des vies
meilleurs en fournissant des technologies innovantes en énergie,
infrastructure et stockage. Guidée par la philosophie « Engagement
vis-à-vis des gens, Engagement vis-à-vis du futur », Toshiba promeut ses
opérations via un réseau mondial de 551 sociétés consolidées employant
188 000 personnes, avec un chiffre d’affaires annuel surpassant les
5,6 trillions de yens (50 milliards USD ; 31 mars 2016).
Apprenez-en
plus sur Toshiba à l’adresse www.toshiba.co.jp/index.htm

Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière
être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse
foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction
devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

Contacts

Toshiba Corporation
Storage & Electronic Devices Solutions Company
Koichi
Tanaka / Kota Yamaji, +81-3-3457-3576
Public Relations & Investor
Relations Group (Groupe Relations publiques & relations avec les
investisseurs)
Business Planning Division (Division Business
Planning)
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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