- Les premiers FET GaN 650 V qualifiés pour l’automobile
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Des produits de consommation d’un tout nouveau genre dorénavant
en production - Des modules et des concepts de référence à venir
GOLETA, Californie–(BUSINESS WIRE)–À l’occasion du salon Power Conversion and Intelligent Motion (PCIM)
Europe 2017, Transphorm
Inc., le leader en matière de conception et de fabrication de
semi-conducteurs au nitrure de gallium (GaN) 650 V certifiés JEDEC,
témoignera du dynamisme des produits GaN haute tension sur le marché.
Divers présentoirs exposeront les avantages des FET GaN haute tension de
Transphorm lorsqu’ils sont utilisés dans des systèmes électroniques de
puissance comme les alimentations, les servomoteurs et les onduleurs
photovoltaïques. Par ailleurs, la société présentera son FET
GaN certifié AEC-Q101 récemment annoncé – la première technologie
GaN du secteur à être de classe automobile.
La vitrine de Transphorm à PCIM sera installée sur le stand
Composants de puissance de HY-LINE [9-525]. Des démonstrations
supplémentaires auront lieu sur le stand de GLYN GmbH & Co. [9-301].
Transphorm mènera également une séance éducative sur les méthodes de
conception des GaN haute tension. Il est possible d’organiser une
rencontre avec un membre de l’équipe, durant le salon PCIM, en cliquant ici.
Engagement d’allocution :
Séance : GaN – Conception, compatibilité électromagnétique et
mesure
Intervenant : Philip Zuk, directeur principal du
marketing technique
Date / heure : Mercredi 17 mai à 14 h 30
Lieu
: Hall 6, stand 143
Points forts de la présentation :
Aperçu du module en demi-pont intégré de 3,5 kW : Le module de
Transphorm, en demi-pont pour montage en surface et facile à utiliser,
est conçu pour simplifier la disposition du circuit imprimé et réduire
les délais de conception. Transphorm proposera prochainement ce module,
sous forme d’élément de base, pour les topologies totem sans pont,
demi-pont, pont intégral et LLC.
Premier servomoteur GaN de l’industrie : Ciblant les applications
de 100 à 400 W, le servomoteur intégré Yaskawa utilise les FET GaN de
Transphorm pour augmenter la densité de puissance et l’efficacité du
système, pour simplifier l’architecture du système et pour permettre une
réduction spectaculaire de la taille du système.
Première alimentation redondante GaN de l’industrie : Ciblant les
applications de 500 W, l’alimentation CA redondante Telcodium utilise
les FET GaN TPH3206PS et TPH3202PS de Transphorm pour augmenter
l’efficacité et la densité de puissance, tout en réduisant
considérablement la consommation en veille (à moins de 1 W) et la
production de température interne.
Première alimentation CA-CC GaN de l’industrie avec PFC totem sans
pont : Ciblant les applications de 3 kW, le Bel Power TET3000
utilise le TPH3205WS de Transphorm pour parvenir à une efficacité 80
Plus Titanium tout en réduisant la taille du système afin qu’il puisse
tenir dans 1U.
Aperçus des concepts de référence de GaN haute tension : Les
visiteurs auront l’occasion de voir l’onduleur photovoltaïque (CC vers
CC, CC vers CA) de 4,2 kW de Transphorm et les concepts de référence PFC
totem de 3,3 kW, dont le lancement est prévu dans le courant de l’année.
Ces produits illustrent un type de ressource de design client fourni par
le Centre
d’excellence de la Silicon Valley récemment annoncé de Transphorm.
Bienvenue dans la révolution GaN !
Transphorm est une société mondiale de semi-conducteurs, menant la
révolution GaN avec les dispositifs au nitrure de gallium (GaN) les plus
performants et les plus fiables pour les applications de conversion de
puissance haute tension. Pour ce faire, Transphorm déploie son approche
commerciale unique, verticalement intégrée, qui s’appuie sur l’équipe
technique la plus expérimentée de l’industrie dans le domaine du GaN à
tous les stades de développement : conception, fabrication, dispositif
et support d’application. Cette approche, soutenue par l’un des plus
importants portefeuilles de propriété intellectuelle de l’industrie avec
plus de 600 brevets, a généré les seuls FET GaN certifiés JEDEC et
AEC-Q101 du secteur. Les innovations de Transphorm révolutionnent
l’électronique de puissance au-delà des limites du silicium pour
atteindre un rendement supérieur à 99 %, une densité de puissance 40 %
supérieure et offrir un coût système réduit de 20 %. Participez à la
révolution sur transphormusa.com
et suivez-nous sur @transphormusa.
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être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse
foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction
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