La Commission européenne a alloué un budget de 4,5 millions d’euros à un consortium d’instituts de recherche et de fabricants de puces dans le but de résoudre les problèmes de fuites électriques dans les semi-conducteurs actuels et de prochaine génération. Ce projet, baptisé Controlling Leakage power in NanoCMOS SoCs (CLEAN), vise à créer de nouvelles méthodologies et techniques de fabrication, ainsi que des prototypes d’outils permettant d’automatiser le travail de conception des zones des processeurs en relation avec la consommation d’énergie.
Les fuites électriques sont de l’énergie qui parvient à s’échapper des transistors d’une puce électronique. Ce phénomène est déjà bien connu mais devient bien plus inquiétant avec l’arrivée de processeurs à moins de 65 nm et à basse consommation. En effet, ces nouvelles puces intègrent des composants plus petits et surtout beaucoup plus de transistors que les modèles précédents.
Surmonter les difficultés de la gravure en 65 nm
« Ce projet aidera à surmonter les difficultés technologiques liées à la gravure en 65 nm et au delà, notamment la variabilité et l’incertitude des procédés de fabrication, ainsi que les problèmes de fuites électriques », a déclaré Roberto Zafalon, responsable R&D de STMicroelectronics et coordinateur du projet. « Les résultats devraient permettre de réduire la consommation des appareils nanoélectroniques et, dans le même temps, d’améliorer la productivité de leur fabrication. »
En novembre dernier, Intel admettait qu’il était impossible de concevoir un processeur pour téléphones mobiles utilisant la technologie de gravure en 65 nm dans la mesure où les fuites électriques mettraient la batterie à plat en quelques minutes. Un processeur pour ordinateur de bureau perd environ 25 % de son énergie via des fuites électriques, selon des données fournies par Intel. Les puces utilisées dans les téléphones mobiles dissipent quant à elles jusqu’à 90 % de l’énergie utilisée et n’en consacrent donc que 10 % à un usage réel. (Traduction d’un article de VNUnet.com en date du 16 janvier 2006)
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