Samsung annonce un processeur ARM gravé en 20 nm

Les technologies submicroniques n’en finissent pas de nous étonner. Devra-t-on abandonner le mot « micro-électronique » au profit de celui de « nano-électronique » ?

Rien n’est moins sûr car des limites physiques pourtant repoussées grâce à des prouesses technologiques risquent de se présenter tel un mur infranchissable à moins qu’un quelconque (effet) tunnel ne permette de le passer. Toujours est-il que Samsung vient d’annoncer avoir gravé un CPU ARM dans sa technologie 20 nm.

Il s’agit de sa technologie de pointe 20 nm utilisant une grille (de transistor MOS) métal à haute conductivité (HKMG pour High-K Metal Gate), l’inverse de la résistivité.

C’est avec plusieurs partenaires que Samsung a effectué le tape-out de ce test chip. Il s’agit d’ARM pour l’architecture employée dans ce design ainsi que les librairies prototypes ARM Artisan, les mémoires custom et les structures de test prêtes à être instanciées.

Mais aussi Cadence pour le flow de design numérique RTL to GDSII (RTL étant la synthèse de layout grâce à du code reposant sur une description comportementale et GDSII étant le fichier final de tape-out prêt à être utilisé en fab) et Synopsys pour la plate-forme Synospys Galaxy.

C’est un CPU ARM Cortex-M10 qui a été le premier à bénéficier de cette finesse de gravure. Il s’agit du processeur le plus petit du constructeur asiatique. C’est un gage de rendement accru avec un nombre de puces élevé par galette de silicium (wafer) et donc d’une baisse de prix de chaque puce.

S’il ne s’agit pour l’instant que d’un prototype (test-chip) permettant de peaufiner les derniers réglages de la fab, cette technologie devrait permettre à l’avenir une plus grande intégration au sein des SoC. C’est la voie que semble prendre Qualcomm en intégrant le module 3G (voire 4G) au SoC, mais aussi Intel avec l’acquisition récente d’Infineon ainsi que NVIDIA qui a récemment fait l’acquisition d’Icera qui conçoit des puces 3G et 4G.