Samsung annonce une barrette mémoire DRAM à 4 Go

Plus véloce, plus petit, plus économique. Samsung Electronics a annoncé le 23 avril la première barrette à mémoire vive DRAM DDR2 de 4 Go. Un record en la matière. Aujourd’hui, les barrettes à 2 Go constituent l’excellence pour les PC. Samsung prétend donc pouvoir doubler la quantité de mémoire disponible par barrette sans (trop) augmenter la taille du composant.

Pour réussir cet exploit, le constructeur coréen a appliqué la technologie through silicon via (TSV) mise au point en avril 2006. La TSV permet d’empiler verticalement les modules mémoire et de les relier directement entre elles par des réseaux câblés microscopiques (en fil de cuivre) percés au laser.

Une nouvelle génération de barrettes mémoire

Samsung combine ainsi 32 modules de 512 Mbits pour obtenir un composant de 2 Go. Le constructeur assemble ensuite deux modules de 2 Go grâce à la technologie TSV pour obtenir une barrette de 4 Go au format DIMM (dual in-line memory module). En éliminant les espaces d’interconnexion des modules mémoire, Samsung parvient donc à doubler la surface d’enregistrement des données sans pour autant augmenter d’autant le volume physique du composant comme c’est le cas avec les autres méthodes d’empilement actuelles. Une technologie qui, a priori, pourrait s’étendre à tout type de production de carte mémoire DRAM.

Samsung rappelle également que les modules de 512 Mbits sont fabriqués selon la technologie maison wafer-level-processed stacked package (WSP). Cette technologie permet de réduire la taille du composant final tout en accélérant le fonctionnement des puces et en réduisant leur consommation électrique. Au final, Samsung devrait ouvrir le champs à une nouvelle génération de barrettes mémoire DRAM pour PC. Ni les coûts, ni la date de disponibilité de cette nouvelle génération de mémoire n’ont été précisés. Dans son communiqué, Samsung se contente d’évoquer l’avance technologique de sa solution prête pour « la prochaine génération de systèmes informatiques pour 2010 et au-delà « .