Samsung débute la production de mémoires DDR2 en 80 nanomètres

Samsung Electronics est devenu le premier fabricant à produire en masse des mémoires DRam DDR2 de 512 Mo gravées en 80 nanomètres (nm). Selon la firme sud-coréenne, cette technologie lui permet d’augmenter l’efficacité de sa production de 50% par rapport au précédent procédé de fabrication en 90 nm.

« La demande pour la DDR2 étant à son plus haut niveau depuis son lancement en 2004, notre technologie en 80 nm nous permet de répondre plus efficacement à la croissance annoncée de ce marché cette année », a déclaré Tom Trill, directeur du marketing de la DRam de Samsung Semiconductor.

Une transition relativement aisée

Le constructeur high-tech prétend être capable d’assurer une transition en douceur dans la mesure où il a utilisé de nombreuses caractéristiques basiques de la technologie 90 nm pour développer son nouveau procédé de fabrication. Les mises à jour nécessaires de ses lignes de production ont ainsi été réduites au minimum.

Le passage au procédé de gravure en 80 nm a été accéléré grâce à l’utilisation de la technologie RCAT (recess channel array transistor). Cette topologie de transistor 3D améliore considérablement le taux de rafraîchissement, un paramètre essentiel dans le domaine du stockage de données.

Selon Gartner Dataquest, la mémoire DDR2 représentera plus de 50% du marché total de la DRam en 2006.

(Traduction d’un article de VNUnet.com en date du 13 mars 2006)