Samsung Galaxy S6 sous l’angle des specs : pourquoi c’est intriguant

La configuration de la gamme Samsung Galaxy S6 – déclinée en une version standard et une version Edge (bords recourbés) – révèle des surprises (parfois bonnes parfois désagréables).

Dans le cadre du Mobile World Congress, les spécifications techniques du nouveau smartphone flagship de Samsung sous Android 5.0 (Lollipo) ont été dévoilées.

Les deux versions Galaxy S6 sont dotées du même socle technique. Les fruits des travaux du Project Zero montrent un certain degré de sophistication mais aussi quelques lacunes.

Sur le volet des réseaux supportés, Samsung reste exhaustif concernant l’aspect technique avec support du Bluetooth 4.1, du NFC et du Wi-Fi a/b/g/n/ac (sur 2,4 et 5 GHz pour le n et sur 5 GHz pour le ac).

Pour la recharge, les Galaxy S6 ont opté pour des technologies wireless avec les normes Qi et PMA. Une première pour cette gamme de smartphones.

Ecran : résolution stupéfiante

La première tendance est plutôt une confirmation : exit les plastiques qui laissent placent au métal.

Les deux terminaux sont ainsi dotés de coques aluminium unibody qui leur confèrent un aspect haut de gamme.

Quant à l’écran Super AMOLED de 5,1 pouces protégé par un verre Gorilla Glass 4, il affiche de la QHD (3560 par 1440 pixels) pour une résolution stupéfiante de 577 ppp (pixels par pouce).

Côté photographie, les terminaux sont équipés d’un appareil photo numérique principal avec un capteur de 16 mégapixels et une fonction de stabilisation optique de rigueur.

Tandis qu’on trouve un capteur 5 mégapixels en façade.

Au registre des doléances, on regrettera également que les S6 ne résistent pas à la poussière et à l’eau (alors que le Galaxy S5 était certifié IP67).

Stockage : comptez juste sur la mémoire flash interne

En termes de capacités de stockage, les smartphones sont déclinés en versions avec 32, 64 et 128 Go de mémoire flash interne.

Autre contrainte : il n’y a plus d’emplacement pour carte mémoire microSD, de quoi faire grincer des dents.

L’ensemble est alimenté par une batterie de 2550 mAh (S6) ou 2600 mAh (S6 Edge).

Le prix à payer pour la finesse des terminaux est associée à une autre déception : la batterie n’est plus amovible.

SoC : une première dans la finesse de gravure

Concernant le SoC, le Galaxy S6 est donc équipé d’une puce maison Exynos gravée en 14 nm (avec utilisation de transistors FinFET 3D). Il s’agit vraisemblablement de l’Exynos 7 Octa (7420).

C’est la première fois qu’une puce gravée avec une telle finesse intègre un smartphone.

Durant plusieurs années, la mobilité est restée cantonnée au 28 nm puis plus récemment au 20 nm (SoC A8 avec l’iPhone 6).

Le SoC du Galaxy S6 bénéficie donc d’un process aussi avancé que celui exploité par Intel pour ses processeurs Broadwell.

Il devrait en résulter naturellement un rapport performance par watt supérieur aux autres SoC. A commencer par le Snapdragon 810 de Qualcomm qui est gravé en 20 nm.

Samsung n’a donc pas retenu Qualcomm pour la génération Galaxy S6, considérant que le fabricant américain de puces pour terminaux mobiles n’offrait pas de plus-value sur les coeurs des processeurs de ses SoC premium 64 bits.

Ainsi, Qualcomm ne propose toujours pas de coeurs Krait 64 bits mais utilise des IP de coeurs signées ARM non modifiées (Cortex-A53 et Cortex-A57).

Pour plus de détails, l’Exynos 7 Octa est pourvu d’un processeur 64 bits octo coeur.

Dans une configuration ARM big.LITTLE HMP (pour Heterogeneous Multi Processing), il exploite 4 coeurs Cortex-A53 (cadencés jusqu’à 1,5 GHz) ainsi que 4 autres plus puissants Cortex-A57 (cadencés jusqu’à 2,1 Hz).

Côté processeur graphique, le SoC aligne un modèle ARM Mali-T760.

Reste toutefois une interrogation concernant le modem intégré. On peut penser qu’il s’agit d’un modem discret Qualcomm Snapdragon X10 puisqu’il supporte la 4G LTE de catégorie 6.

Autre signe particulier : la mémoire LPDDR4

La sortie des Galaxy S6 est l’occasion d’associer de la mémoire LPDDR4 (Low Power DDR4) au processeur (3 Go en tout).

Une mémoire LPDDR4 que l’on retrouve dans les HTC One M9 et LG G Flex 2.

Samsung avait annoncé début décembre 2014 avoir commencé la production de puces 8 Gb (1 Go) dans cette technologie.

Les performances sont notablement accrues par rapport à la LPDDR3 : leur débit théorique est de 3200 MT/s, contre 2133 MT/s.

Elle bénéficie d’une tension d’alimentation inférieure et consomme de ce fait moins de puissance électrique.