Samsung ouvre la plus grande usine de mémoires du monde

Samsung vient de débuter la production dans sa toute nouvelle usine de fabrication de mémoires, qui est tout simplement la plus grande au monde.

Située à Hwaseong (précisément dans le ‘Nano City Complex’) dans la province du Gyeonggi en Corée du Sud, elle correspond à un investissement de 10,2 milliards de dollars.

La ‘fab’, qui occupe presque 200 000 mètres carré, permettra de produire par mois 10 000 wafers (tranches de Silicium) d’un diamètre de 12 pouces.

Elle est destinée à la production de mémoires NAND ou DDR.

La construction de l’usine « Line 16 » avait commencé en mai 2010. Samsung a fini d’équiper les salles blanches en mai 2011.

Des essais, mises au point et autres étalonnages d’appareils ont ensuite eu lieu de juin jusqu’à août. L’usine est désormais opérationnelle.

Elle va débuter la production de masse par des DRAM DD3 2 Go. Puis ce sera au tour de versions 4 Go avant la fin 2011.

Celles-ci bénéficieront de la classe 20 nm (finesse de gravure comprise entre 20 nm et 29 nm).

Selon Samsung, la production de RAM en classe 20 nm augmente le rendement de 50% par rapport à la classe 30 nm. Cela s’accompagne aussi d’une réduction de la consommation d’énergie de 40%.

Mais cette fab permettra d’aller encore plus loin. Ainsi, Samsung prévoit déjà de produire de la flash à portes NAND « classe 10 nm » (« une classe 10 nm » correspond toutefois à une finesse de gravure plus élevée, tout en restant inférieure à 20 nm).

Et, dès ce mois, la production de la flash NAND en classe 20 nm va débuter.

La mémoire flash est un enjeu essentiel. Rien que sur l’année 2011, sa production est estimée à 1,7 milliard de Giga-octets pour 2011.

Des estimations la placent à 8,8 milliards de Go à l’horizon 2014 avec l’explosion des ventes d’appareils nomades (smartphones, tablettes…).

C’est la finesse de gravure qui permettra aux constructeurs de produire plus et moins cher malgré les investissements colossaux induits.

Et à ce petit jeu, Toshiba produit des flash NAND dans une technologie plus avancée de 19 nm.

L’enjeu est si essentiel que Samsung se garde de préciser la finesse de gravure en parlant de « classe » plus générique (sa « classe 20 nm » correspondrait à un process 27 nm).

La guerre fait rage entre les deux firmes high-tech asiatiques.

Début août 2011, Samsung occupait 40,1% du marché des mémoires flash NAND tandis que Toshiba en occupait 27,9%.

Le coréen Hynix Semiconductor apparaît comme le troisième producteur mondial (13,1%).

Il se place juste devant Micron avec lequel Intel est associé.