Samsung fait passer la mémoire flash à la 3D

Samsung Electronics expérimente des mémoires flash bâtie sur trois dimensions pour dépasser les limites des technologies actuelles.

Il est de notoriété publique que le constructeur coréen arpente les chemins tortueux de la technologies flash pour en découvrir tous les secrets.

Le mois dernier, Samsung mettait au point un module de mémoire flash eMMC 5.0 disposant de performances proches de celles des SSD.

Aujourd’hui, le Coréen expérimente la mémoire flash 3D et repousse un peu plus loin les limites qui étaient jusqu’alors imposée par les techniques actuelles.

Destinée à des produits grand public et professionnels, la mémoire 3D V-NAND de Samsung intègrera aussi bien des SSD que des cartes mémoire.

Le constructeur précise que sa technologie permettra d’empiler jusqu’à 24 couches mémoire. Des modules de 1 Tb (128 Go) sont d’ores et déjà annoncés par le constructeur.

Jusqu’à présent, les mémoires flash étaient dites planaires car gravées sur une seule épaisseur (plusieurs couches mais un point mémoire par épaisseur).

Avec sa puce de 128 Gbits (16 Go), la première dans l’industrie à emprunter la troisième dimension, plusieurs niveaux de points mémoire sont superposés.

Cela permet d’améliorer la fiabilité de 2 à 10 fois ainsi que la vitesse de la mémoire.

D’après Silicon.fr, Samsung a opté pour la superposition de niveaux en adaptant la technologie CTF (Charge Trap Flash) et en mettant au point l’interconnexion verticale pour relier le réseau de cellules.

La technologie CTF permet aussi de réduire les coûts grâce à des rendements meilleurs et un nombre d’étapes process inférieur pour créer un point mémoire.

C’est AMD, conjointement avec Fujitsu, qui a été pionnier dans le développement de la technologie CTF avec sa mémoire flash à portes NOR baptisée « MirrorBit » (en 2002). Samsung a repris le principe en 2006 et l’a considérablement amélioré.

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Crédit photo : Samsung