Samsung s’apprête à lancer sa production de mémoire PRAM

Jusqu’alors en phase de recherche et développement, la mémoire PRAM (Phase Change Random Access Memory) devrait commencer à être produit en masse par Samsung Electronics dès juin prochain, sous la forme de module de 512 Mo.

Ce module de mémoire d’ordinateur à l’avantage d’être non volatile : la PRAM peut conserver les données sur une durée de plus de dix ans, grâce notamment à l’utilisation d’un matériau spécifique, le verre chalcogénide. Elle est ainsi capable de gérer pas moins de 100 millions de cycles écriture/lecture, contre de 10 000 à 100 000 de cycle pour un module de mémoire Flash.

Autre avantage : la PRAM serait également trente fois plus rapide que la traditionnelle mémoire Flash, notamment parce qu’il n’est pas indispensable, à chaque fois, d’effacer les bits de données pour en inscrire et en stocker ensuite de nouveaux.

La PRAM possède d’autres atouts qui pourraient lui permettre de détrôner, d’ici quelques années, la mémoire Flash : un encombrement moitié moins important que les modules NOR et un coût de production en baisse de 20%.

L’industrialisation de la PRAM n’en est encore qu’à ses prémices et il est encore très difficile de savoir si ce type de mémoire finira par convaincre les équipementiers informatiques de délaisser la technologie Flash, de plus en plus intégrée aux PC portables, aux netbboks et à des terminaux mobile, comme des smartphones et des GPS.