Semi-conducteurs : Exagan lève 5,7 millions d’euros pour ses convertisseurs électriques ultra-puissants
Exagan a levé 5,7 millions d’euros pour entamer la phase d’industrialisation de ses composants en nitrure de gallium pour les secteurs de l’automobile, du solaire, et des télécommunications.
La start-up grenobloise Exagan, spécialisée dans la conception de semi-conducteurs de nouvelle génération en nitrure de gallium (GaN), est parvenue à boucler une levée de fonds de 5,7 millions d’euros auprès d’investisseurs français comme Technocom2 (géré par Innovacom), CM-CIC Innovation (Groupe Crédit Mutuel-CIC), IRDInov (investisseur régional d’amorçage), CEA Investissement et Soitec.
Fondé par Frédéric Dupont et Fabrice Letertre en 2014 par essaimage à partir du laboratoire de recherche CEA Leti et de Soitec, Exagan a mis au point et commercialise des semi-conducteurs basés sur la technologie brevetée de nitrure de gallium (GaN) sur plaquette de silicium de 200 mm, permettant la fabrication de convertisseurs électriques trois fois plus compacts et 25% moins chers.
La jeune pousse vise ainsi les marchés de la conversion électrique de haute performance (alimentations de puissance, systèmes photovoltaïques, véhicules hybrides et électriques moins, aéronautique…) et de la communication sans fil (radars, téléphonie mobile).
En mai dernier, Exagan a noué un partenariat de développement industriel avec l’allemand X-Fab afin de préparer la phase d’industrialisation de sa technologie GaN sur silicium.
«Ce premier volet significatif de financement couronne nos efforts de coopération des cinq dernières années avec le Leti et Soitec pour commercialiser la technologie GaN sur silicium, et soutient notre engagement de fournir à nos clients des composants GaN qualifiés en fort volume », explique Frédéric Dupont, PDG et co-fondateur d’Exagan.
« Nous voulons offrir à nos clients des composants de haute performance fiables, développés avec des partenaires industriels fournissant déjà des technologies ou des produits sur les marchés-visés ».
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