Sharp : la 4K / Ultra HD sur des smartphones dès 2016

L’avenir de la téléphonie mobile devrait se conjuguer avec des millions de pixels.Ceux de la technologie IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) de Sharp par exemple…

Le fabricant high-tech japonaise a profité de la China Information Technology Expo 2015 qui se tenait à Shenzhen (Chine) la semaine dernière pour dévoiler un écran de 5,5 pouces défini en 4K / Ultra HD (2160 par 3840 pixels), indique le site asiatique Techblog. Cela se traduit par une impressionnante densité de pixels de 806 ppp (pixels par pouce).

En 2012, Sharp dévoilait déjà une petite dalle offrant une résolution de 302 ppp. Puis, l’année suivante, la firme dévoilait un prototype d’écran de 6,1 pouces défini en 2560 par 1600 pixels, pour une résolution de 498 ppp.

On monte encore d’un cran en 2014 avec un écran IGZO de 4,1 pouces affichant 736 ppp.

La Quad HD ou 2K est aujourd’hui monnaie courante sur des smartphones haut de gamme (tels que le Samsung Galaxy S6 ou encore le HTC One M9+).

Place maintenant à la 4K sur une petite surface d’affichage (121 par 68 mm) grâce à un pixel (composé de 3 sous-pixels) de 10,5 μm de longueur et de largeur.

Sharp devrait débuter la production de masse de tels écrans dès 2016. On pense déjà à la définition 8K (4320 par 7680 pixels) puisque Apple exploite d’ores et déjà des écrans 5K de 27 pouces pour certains de ses iMac et peut-être bientôt 8K grâce à LG.

Rappelons que la 8K se traduit par 16 fois plus de pixels à afficher que la définition 1080p et 4 fois plus pour la 4K. D’où la nécessité de processeurs graphiques capables de prendre en charge une telle charge de travail, le tout en assurant une fréquence d’affichage décente.

La technologie IGZO présente tous les avantages inhérents à l’utilisation d’écrans très haute définition sur des appareils mobiles.

C’est conjointement avec l’institut de recherche Semiconductor Energy Laboratory que Sharp a fait progresser la technologie TFT (Thin-Film Transistor) baptisée CAAC-IGZO (C-axis aligned cristal Indium Gallium Zinc Oxide) ou plus communément IGZO.

Tout d’abord, une dalle IGZO est moins onéreuse à produire qu’un écran LCD comparable de type LTPS. De plus, les lignes de production des matrices actives TFT en silicium amorphe peuvent être utilisées avec peu de modifications pour de l’IGZO.

De plus, la mobilité des électrons dans les transistors en couches minces (TCM) d’une matrice active IGZO est jusqu’à trente fois supérieure à celle des électrons d’une matrice active en silicium amorphe. Cela se traduit par des temps de latence beaucoup plus faibles pour les écrans et donc potentiellement plus d’images par seconde (fréquence).

Par ailleurs, la transmission de la lumière en provenance du rétro-éclairage serait également supérieure, d’où une consommation électrique moindre qu’avec un écran IPS. La consommation électrique serait ainsi 33 % inférieure à celle d’un écran TFT en silicium amorphe.

Sharp ajoute que l’IGZO se traduit par une plus grande sensibilité tactile.

La question de l’utilité d’une telle profusion de pixels sur des petites tailles d’écran reste toutefois entière car l’acuité visuelle n’augmente pas pour autant. Elle pourrait cependant trouver une utilité pour les casques de réalité virtuelle. L’écran étant plus proche des yeux, une plus grande résolution est nécessaire.

De surcroît, l’écran affichant une image pour chaque oeil, la définition est divisée par deux. La 4K sur de tels dispositifs devrait rendre de tels casques plus immersifs que jamais.

(Crédit photos @Sharp)