Snapdragon 820 : Qualcomm conçoit une puce mobile gonflée

Malgré l’écueil rencontré avec le Snapdragon 810 (problème de surchauffe avec les premières moutures de la puce), Qualcomm rebondit.

La firme californienne de semi-conducteurs a planché sur un SoC haut de gamme de nouvelle génération baptisé Snapdragon 820.

Son atout principal : le coeur de processeur 64 bits baptisé Kryo conçu spécifiquement par Qualcomm. Mais ce n’est pas tout puisque la puce bénéficiera d’autres avancées technologiques que l’on découvre maintenant.

Qualcomm vient en effet de donner des précisions sur la vitesse d’échange de données en 4G LTE, de point à point entre appareils avec le Wi-Fi ad (forme de Wi-Fi dite ad hoc) et sur la vitesse de recharge filaire Quick Charge 3.0 supportée par le S 820.

Le Snapdragon 820 sera le premier SoC à supporter la 4G LTE de catégorie 12, synonyme d’un débit descendant pouvant atteindre, en théorie, 600 Mbit/s (contre 450 Mbit/s au plus précédemment) et d’un débit ascendant à 150 Mbit/s.

On le doit au modem X12 qui supporte de tels débits (associé aux puces front-end RF idoines). Il est aussi capable d’aller puiser dans le spectre des bandes de fréquences non licenciées avec le support du LTE-U (LTE Unlicensed).

On reste dans le domaine radio avec le support du Wi-Fi 802.11ad évoluant sur des fréquences porteuses millimétriques (dans la bande des 60 GHz), en plus du Wi-Fi 802.11ac (sur 2,4 GHz et 5 GHz).

S’il fait la part belle aux nouvelles technologies RF, le Snapdragon 820 supportera aussi la recharge filaire Quick Charge 3.0, c’est-à-dire de toute dernière génération. Celle-ci est 27% plus véloce que le Quick Charge 2.0, tout en dissipant 45% d’énergie en moins.

Au global, cette nouvelle mouture est 38% plus efficace que la version précédente. Concrètement, l’utilisateur pourra recharger son smartphone de 0 à 80% en 35 minutes environ (Qualcomm n’indique pas la capacité de la batterie à recharger mais parle d’un « smartphone typique »).

Pour maximiser la durée de vie des batteries, Qualcomm a développé la technologie INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), un algorithme qui permet au terminal mobile de gérer la courbe de transfert d’énergie dans le temps, tout en maximisant l’efficacité. Au fabricant de terminal mobile de régler cette donnée en fonction de la spécification de la batterie.

Le Snapdragon ne sera pas le seul SoC estampillé Qualcomm à supporter le Quick Charge 3.0 puisqu’il y aura aussi les Snapdragon 617 (attendu d’ici la fin de l’année), 430, 618 et 620.

A noter que les adaptateurs secteur nécessaires au Quick Charge 3.0 seront rétro-compatibles avec les moutures 1.0 et 2.0 de la technologie.

(Crédit photo : nito/Shuttershock)