SSD 840 EVO : Samsung passe en classe 10 nm

L’édition 2013 du Samsung SSD Global Summit a donné lieu à l’officialisation de la gamme de disques flash 840 EVO, entrée en production au mois d’avril.

Tous les modèles qui composent cette nouvelle série sont basés sur de la mémoire flash NAND TLC (3 bits par cellule) de 128 Gb (16 Go) gravée dans la technologie de classe 10 nm, soit une finesse effective située en 10 et 20 nm.

Les gains en performance sont significatifs par rapport à la précédente génération (SSD 840), grâce à l’implémentation d’un contrôleur propriétaire MEX, articulé autour d’un processeur ARM Cortex-R4 à 3 coeurs (400 MHz) et doté de la technologie de tampon TurboWrite.

Comparée au modèle 250 Go de la gamme 840, la nouvelle version de la série 840 EVO se caractérise ainsi par une vitesse d’écriture séquentielle de 520 Mo/s, soit deux fois plus que pour la génération précédente.

La vitesse d’écriture séquentielle du modèle 120 Go plafonne à 410 Mo/s, soit trois fois plus que le SSD série 840 de même capacité, comme le note Silicon.fr.

Le modèle phare de 1 To présente des vitesses de lecture et d’écriture séquentielles qui sont respectivement de 540 Mo/s et de 520 Mo/s, soit deux fois plus que la génération précédente.

En lecture aléatoire de blocs de 4 ko, Samsung relève entre 90 000 et 98 000 IOPS (opérations d’entrées-sorties par seconde).

Pas d’informations, en revanche, quant à l’endurance de ces SSD qui intègrent néanmoins la technologie Dynamic Thermal Guide, laquelle régule dynamiquement la puissance pour assurer un fonctionnement jusqu’à 70°C.

A noter que le protocole optimisé pour la mémoire flash NVMe (Non-volatile Memory express) est supporté par ces nouveaux SSD PCIe. A la clé, des temps de latence réduits et davantage de sécurité pour les données.

Le lancement commercial de la gamme 840 EVO (disponible en capacités de 120 Go, 250 Go, 500 Go, 750 Go et 1 To) est prévu, sur les marchés « importants », début août – et ultérieurement dans le reste du monde.

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