SSD 850 Pro : Samsung enclenche la troisième dimension

A l’occasion du Samsung SSD Global Summit qui se tient actuellement à Séoul, Samsung vient de présenter sa nouvelle gamme de SSD baptisée 850 Pro. Il s’agit des premiers SSD du constructeur à intégrer de la mémoire flash « 3D » V-NAND (pour « Vertical NAND »).

La production de mémoire flash 3D baptisée V-NAND avait débuté en août 2013. Samsung annonce donc maintenant son intégration dans des premiers SSD constituant la gamme 850 Pro.

Basés sur une interface SATA III (à 6 Gb/s), ils embarquent un contrôleur MEX maison à trois cœurs (sans plus de précisions de la part de Samsung). Tous les modèles de la gamme bénéficient de la fonctionnalité DTG (Dynamic Thermal Guide) déjà implémentée dans les 840 EVO et qui assure un fonctionnement à 70°C au plus grâce à une régulation dynamique de la puissance. La technologie baptisée Rapid Mode (à activer via le logiciel Magician) permet également d’améliorer les performances.

La mémoire cache est de 256 Mo pour la déclinaison 128 Go, de 512 Mo pour les modèles 256 Go et 512 Go et de 1 Go pour la version de 1 To.

Côté bandes passantes en écriture et lecture, les SSD 850 Pro flirtent avec le maximum permis par l’interface SATA III (768 Mo/s en théorie). Ils peuvent ainsi se prévaloir d’un taux de transfert allant de 470 Mo/s (128 Go) à 520 Mo/s pour les autres modèles et d’un taux d’accès culminant à 550 Mo/s respectivement en écriture et lecture séquentielles, tandis que l’écriture et la lecture aléatoires de blocs de 4 ko QD32 culminent respectivement à 90 000 IOPS et 100 000 IOPS (opérations d’entrées-sorties par seconde).

Les efforts ont également porté sur la consommation d’énergie. Le constructeur sud-coréen annonce ainsi une consommation de 2 mW en veille, soit 5 fois moins que pour les modèles précédents. Les consommations à l’usage sont au diapason puisqu’elles sont de 3,3 watts en lecture et de 3 watts en écriture.

Avec son process classe 10 nm, Samsung, se rapprochant des limitations physiques liées à la filière CMOS, a opté pour la technologie 3D V-NAND. Dans ce type de mémoire, les niveaux sont superposés grâce à la technologie CTF (Charge Trap Flash). Une méthodologie d’interconnexion verticale permet de relier le réseau de cellules. La V-NAND améliore la fiabilité de 2 à 10 fois, augmente la vélocité de la mémoire et réduit les coûts (grâce à de meilleurs rendements et un moindre nombre d’étapes process).

Il semble d’ailleurs bien que plus globalement l’avenir de la mémoire flash se conjugue bien à la troisième dimension. Pour s’en convaincre, il suffit de regarder les efforts des autres constructeurs dans ce domaine. En mai 2014, SanDisk et Toshiba ont annoncé une collaboration portant sur la production de puces flash 3D. Micron est également à pied d’œuvre sur de la mémoire flash NAND 3D avec des puces qui devraient être sur le marché avant la fin 2014.

Et Samsung a renforcé ses efforts de production de puces mémoire flash V-NAND avec sa toute dernière usine chinoise située à Xi’an.

La gamme de SSD 850 Pro déclinée en variantes 128 Go, 256 Go, 512 Go et 1 To, sera disponible dans 53 marché (France comprise) à compter du 21 juillet 2014. Samsung annonce une garantie de 10 ans (ou de 150 To), ce qui constitue un gage de fiabilité et de durabilité de ces nouveaux modèles. Les tarifs s’échelonnent de 130 dollars pour la version 128 Go à 730 dollars pour celui de 1 To.