Transistors : 18 nm, record battu !

Record battu. Quelques jours à peine après la mise au point d’un élément de transistor de 50 nanomètres aux Bell Labs, les chercheurs de l’université de Berkeley (Californie) annoncent le chiffre de 18 nanomètres (Voir notre édition du 16 novembre 99).

Le transistor est l’une des briques fondamentales de l’électronique. C’est un tout petit interrupteur à commande électrique que l’on assemble suivant un schéma bien défini. Regroupés, les transistors peuvent alors effectuer des opérations sur les signaux électriques et donner naissance à l' »intelligence » des puces. Aujourd’hui, les transistors mesurent 180 nanomètres de large. On peut en placer des dizaines de millions dans un ongle de silicium.

Comme aux Bell Labs, c’est de l’étude de la porte des transistors qu’a jailli l’idée. La porte est un minuscule élément conducteur qui contrôle le passage de courant dans le circuit. Plus elle est étroite, et plus le transistor sera petit et rapide. D’habitude, la porte est placée dans la partie supérieure du transistor, au-dessus du canal par lequel le courant électrique passe. Une méthode éprouvée, mais qui oblige à conserver de grandes dimensions. L’équipe de Chenming Hu à Berkeley a essayé de placer un porte plus étroite en plein coeur du canal et cela fonctionne. Baptisé FinFET, ce transistor devrait encore gagner en finesse puisque les chercheurs pensent parvenir à réduire ses dimensions à 9 nanomètres. A cette épaisseur, il ne reste plus qu’une cinquantaine d’atomes, mais les puces pourraient être 400 fois plus puissantes…

Bien évidemment, ces travaux resteront pour longtemps des expériences de laboratoire. Il faudra au moins dix à quinze ans et de lourds investissements pour espérer les voir révolutionner l’industrie. Les chercheurs ont délibérément choisi de ne pas protéger leur invention par un brevet. « Nous souhaitons une diffusion la plus large possible« , a justifié le Pr. Chu.